1
Mexanik olib tashlash uchun markaziy bo'lgan abraziv vositalar selektsiyasi moddiy qattiqlikni, pardali sun'iy bosqichni va sirtga zarar etkazilishini nazorat qilish kerak. Bu oddiy qattiqlikka mos kelmaydi.
Silikon Wafers (Muhsning qattiqligi ~ 7, o'rtacha kimyoviy faoliyat), kolloid kremniy yoki aluminasi 1 dan 2 ta mikrometrgacha bo'lgan noroziligi oqimni olib tashlash va boshlang'ich tekislash uchun tanlangan. Yaxshi parlatish bosqichi sharsimon kremniy abraziyasidan, 20 tadan 50 ta Nanometrlar, u er yuzasi pürüzlünününüzlünününüz ni 0,1 nm dan pastgacha kamaytirishi mumkin. Asosiy omil agrofileratsiya va tirnalishning oldini olish uchun polietilen glikol kabi magrlarni qo'shib, xasta dispersiyani boshqarishni boshqaradi.
Silikon karbidi uchun (mashaqqatli qattiqlik ~ 9.2, kimyoviy inert va anisotropik), qo'pol parlatishlar aluminasi yoki kremniy karbinlaridan foydalaning Yaxshi paroyali ravishda glyukoza yadrosi va symcaca qobig'i (30 {{{-} {-}} yoki "aqlli" larzalivlar bilan sezgir polimer zanjirlari bilan bezatilgan innovatsion avariyalar. Ushbu dizaynlar yuqori samaradorlik, past shikastlanish uchun, kamroq pardali uchun tibbiy sinergiyani targ'ib qiladi.
Gallium Nitrid uchun (bu sezgir epitragial qatlamlar bilan korroziyaga moyil), mayda, sharsimon sillika abraziyasining 2%) (30-80 nm) tirnalishni minimallashtirishdan afzal ko'riladi. Diamond kabi yuqori qattiqlik, panjara shikastlanishining oldini olish uchun qat'iydir.
2. Kimyoviy tarkibni sozlash: Sinergittik katalizga oddiy marta
Kimyoviy tarkibiy qismlar material reaktivligiga mos kelishi kerak. Asosiy qiyinchilik oksidizlar, katalizatorlar va murakkab agentlarni jalb qiluvchi sinergik tizimlarni loyihalash orqali hal qilinadi.
Oksidizer tizimiga kelsak, kremniy partiyasi odatdagi vodidrat peroksidni yumshoq oksidlovchi sifatida ishlatadi. Silikon karbidli sayqallash an'anaviy, yuqori toksik nitrat kislotadan ({1}} gidofluorik kislotadan siljiydi va {{3} {{3} {{3} {{}} {{3} {{3} {{3} {{3} {{3} {{3} {{3} {{3} {{3} {{3} {{3} {{3} {{3} {{3} {{3} {{3} {{3} {{3} chiroqlardan iborat bo'lib, Fentonning reaktsiyalariga o'xshaydi. Gallium Nitridni sayqallash ko'pincha katalizator va kaliy peroksida va kaliy permanganatini katalizator va- ürtülünteke-ni bostirish paytida birlashtiradi.
O'rnatish va modulyatsiya qiluvchi vositalar mahsulotni etkazib berish va sirtning shikastlanishi kabi aniq masalalarni hal qilish uchun ishlatiladi. Masalan, sik kislotalariga murakkab kremniylarga nisbatan natriy karbonat qo'shilgan, limon kislotasi Gan plitkalarida granlialli granlium ionlarida ishlatiladi va er yuzasi tozalikni kuchaytiradi.
Eko - do'stona tarkibiy qismlardan foydalanish muhim tendentsiya hisoblanadi. Bu yuqori toksik oksidlovchilarni o'z ichiga oladi, bio -}} tarqalgan dissertatsiyalar yordamida va katalizator va abrazivni tiklash va qayta ishlatish uchun qayta ishlash jarayonlarini amalga oshirishni o'z ichiga oladi.
3. Konsentratsiya va pH: qat'iy moslashuv uchun belgilangan diapazonlardan
Konsentratsiya va pH qiymatlari to'g'ridan-to'g'ri, kimyoviy va mexanik olib tashlash o'rtasidagi muvozanatni to'g'ridan-to'g'ri nazorat qiladi, moddiy va pardali bosqichga asoslangan dinamik tuzatishni talab qiladi.
TH nazorati uchun silikka sayqalida odatda ishqorli sharoitlarda (ph 10 {{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{-} 11) tarqatiladi. Silikon karbidini parlatish ko'pincha "kislotali, keyinchalik gidroksidi" strategiyasini qabul qiladi: past pH (2 {{{{{}} 4) sirt sifatini yaxshilash uchun mayda pH (8.5-11,0). Gan epitragial qatlamini softsiz gidrokaral gidrokaraviy neytral, zaif boshqariladigan neytral sharoitni (pH 8-9) talab qiladi.
Konsentratsiya optimallashtirish sezilarli o'zgarishini ko'rsatadi. Ajratish kontsentratsiyasi (qattiq tarkib) gran uchun juda yuqori darajadan, gan uchun juda past darajadagi podirga mexanik kuchlar uchun zarur bo'lgan aniq nazoratni aks ettiradi. Materialni oksidlashning qiyinchiliklariga ko'ra oksidizer konsentratsiyasi juda nozik.
Dinamik moslashuvi tezda janobli jarayonlarni tavsiflaydi. Misollar Silmiconni asta-sekin kamaytirish kiradi.
4. Maqsadli tuzatishlar bilan aniq muammolarga murojaat qilish
Silikon karbidining anisotropiyasini (-}} -}}} -} {-} yoki c -} {-}} yoki -}} ning turli xil sur'atlaridagi nayranglarni sinxron polishing uchun o'zgartirish uchun qo'shilishi mumkin.
Halg'in-sezgir Galli Nitrid epitramasida, kuchli oksidlovchilar va minimal mexanik harakatlar ingichka - yupqa qatlamlarga zarar etkazmaslik uchun engil eritgichlar va sirt modifikatorlari juda muhimdir.
Silikon wafers global ravishda tekislanishiga erishish uchun benzotrioratorlar, silikar substratini tanlab olish uchun silikat substratini tanlab olinadi, ular sirt oksidi qatlamini va chiqadigan kamchiliklarni imtiyozli ravishda olib tashlashga imkon beradi.
Xitoyda joylashgan to'g'ridan-to'g'ri ishlab chiqaruvchi sifatida biz yuqori darajadagi kimyoviy mexanik pardali (smp) yuqori darajadagi mahsulotlarni yuqori darajadagi mahsulotlarni etkazib beramiz.
Biz quyi quyma buyurtma va kichik - miqdorini sotib olish uchun biz ham shug'ullanamiz. Shaxsiylashtirish variantlari, shu jumladan ixtisoslashtirilgan qadoq yoki tiklangan texnik xususiyatlar ham mavjud.
Mahsulotlarimiz dunyo miqyosida ishonchli sifati va - iqtisodiyoti uchun tan olinadi, ularni dunyo bo'ylab xaridorlarga afzal ko'rgan tanlov qiladi.
Batafsil tirnoq so'rash uchun biz bilan bog'laning.
