Indium fosri (INP) yarimo'tkazgichni qayta ishlash texnologiyasi
Mundarija
Kirish
Ilova talablari
Tizim shartlari
Ishlov berish oqimi
Xaridor ishi
Ilova talablari
ANP faxrli ishlov berish quyidagi maqsadlarga erishishi kerak:
Sirt pürüzy: post - 1 nm dan kam yoki unga teng
Umumiy qalinlikning o'zgarishi (TTV): 2 mkm dan kam yoki unga teng
Qalinlikni boshqarish: maqsadli qalinligi 150 mkm (Mijoz talablariga muvofiq)
Eskirilik tekislik: Eskirib chiqish bosqichida parlatani silliqlash platinidan foydalanib, parlataning burilishini qoplash.
Tizim shartlari
HSM Prodeksicion Silinding va polishing tizimi to'liq - jarayon echimini to'liq ta'minlaydi.
Ishlov berish oqimi
Tekshirish tayyorlash
Sinovni silliqlash plateni platinining konveksini to'ldirish uchun tekislik o'lchov oynasidan foydalaning (pardali qirrali effektlarini qoplash uchun ishlatiladi).
INPni belgilangan armaturaga yuklang (ASJ). Alumina slurry yordamida ikkita - bosqichli silliqlash:
1 bosqich:Kesish shikastlanishini olib tashlang, 250-350 nm ga tatbiq etishni kamaytiradi.
2-bosqich:Zo'rlikni yaxshilash, 200-350 nm va TTV 3 mkm dan kam yoki teng bo'lgan ttv.
Parlatishni tayyorlash
Lapping Putinni polishing yostig'i bilan almashtiring va HSM ixtisoslashtirilgan pourilli atagiga uzating.
Grafik interfeys orqali asosiy parametrlarni boshqaring:
Polishing platlash tezligi: 100 RPM dan kam yoki unga teng
Slurry oqimi: Real - tomonidan vaqtni boshqarish uchun vaqtli ozuqalarni boshqarish tizimi (chiqindilarni kamaytiradi)
Bosim yuklanishi: qalinligi talablariga asoslanadi.
Maqsad:Sub {{0} ● Yuzaki shikastlanishni olib tashlang va atom silliq sirtini (taxminan 1 nm ga teng) bajaring.
Natijalar
HSM-LP tizimi tomonidan ishlov berilgan 2 - INP Wafers quyidagi ish faoliyatiga erishdi:
Xaridor ishi
Mijoz INPning 2 dyuymini (50 mm) ish bilan ishlash uchun HSM {- lp tizimidan foydalangan. Jarayon va natijalar quyidagicha:
Ikkita - sahnani siqish:
Lapping platenkani maqsadli egrilikka kalibrlangan (chekka burilishga qarshi turaman).
Alumina atari bilan materiallar ketma-tekis olib tashlandi, TTV 3 mkm bilan barqarorlashdi.
Jilolash:
Polishing skurry oqimi darajasi 50 ml / min ga, platin tezligini 80 RPMda o'rnatadi.
Sirt pürüzlülülme 350 nm dan 1 nm gacha (Dektak profilometr tomonidan tasdiqlangan).
Yakuniy metrlar:
Qalinligi: 150 ± 0,5 mkm
Yassi: TTV 1 mkm dan kam yoki teng
EDGE BESTITLIK: yo'q.
Texnik tekshiruv
Sxematik: HSM - lp tizimi tomonidan qayta ishlangandan keyin INPning sirtor morfologiyasi.
Izohlar:
O'lchov uskunalari: bruker konturring oq chiroq interferometr
To'liq - Jarayon berish - 98% dan katta yoki teng yoki 80 ta mish-mish hajmidan kattaroq)
