1. Kirish
Yarimo'tkazgichlar va - cheastralar va kesish uchun yuqori ko'rsatkichlar va ishonchlilikni amalga oshirishda Silikon Nitrid (SiBnė) mulklarning alohida kombinatsiyasi tufayli jiddiy e'tibor qaratildi. Bu yuqori qattiqlikni, ajoyib sinish qattiqligi, yaxshi kimyoviy barqarorlik, issiqlik kengayishi koeffitsienti va elektr izolatsiyasini ham taklif etadi. Ushbu xususiyatlar uni yarimo'tkazgichlar, issiqlik boshqarmasi va optik derazalarda izolyuktsiya qilish va optik derazalarda izolyatsiyalash qatlamlari ishlab chiqarish uchun ideal materialga aylantiradi.
Silikon karbidi va sapfire singari qattiq va mo'rt materiallarni parlatishda qo'shimcha tajribali tajriba, gemiye korporatsiyasi kremniy nitdiy substratlari uchun etuk polishing jarayonini rivojlantirdi. Bu jarayon kritik Nitrid Wafers "epitaxy {{1 {{1 - - {-" ning eng qat'iy talablariga javob beradigan silliq sirtga samarali va izohlanadi.
2. Ilova talablari
Silikalon Nitrid Wafers uchun silikadagi ko'zlar uchun pikalish maqsadlari (TTV) ning qalinligi o'zgarishi (TTV) ning umumiy qalinligi (TTV) ning umumiy qalinligi (ttv) 2 mikrometrdan yuqori bo'lgan va 2 ta nanometrni sezilarli darajada yaxshilash.
Ushbu maqsadlarga erishish uchun Hegi jarayoni birinchi navbatda kremniy nitridini vaqtincha bog'lanishni Valvatli aloqalar tizimidan foydalanib, kvarts shisha tashuvchisiga yopishib olishni o'z ichiga oladi. Bu ishlov berish paytida barqarorlik va parallelizmni ta'minlaydi. Keyinchalik, aniq - qadam, aniq - to'liq parlatish uchun tezkor materiallarni olib tashlashning to'liq {{}} to'liq {{}} to'liq {{}} to'liq parlatishni boshqarish vositasi.
3. Tizim shartlari
Hemaning modulli sayqallash tizimi turli o'lchamdagi va partiya miqdoridagi kremniy nitrid gitrid vofionlarini tezlashtirishi mumkin. Asosiy tizim quyidagilarni o'z ichiga oladi:
HSM - l / HSM - LP seriamida silliqlash uskunalari:Dastlabki aniqlikdagi silliqlash bosqichi uchun ishlatiladi.
HSM - CMP Service seriyali mexanik parlatish tizimi:Final Ultra - aniqlikdagi pardali, nanoskale sirtini tugatish uchun ishlatiladi.
Asosiy quyi tizimlar:
WAFFON BUYURTMASI (JB):Yuqori - tashuvchi diskka shikastlanishni aniq belgilang.
SJ / ASJ seriyali aniq chiziqlar:Barqaror va ishonchli egilish eritmalarini ta'minlaydi.
C {- ASJ drayveri boshi baland - tez sur'atli parlatish tizimi:Samarali va yagona materialni olib tashlash imkoniyatini beradi.
4. Qayta ishlash oqimi
4.1 O'rnatish, diqqatga sazovor va silliqlash
Ob'ektsiya:Gemati WB obligatsiyasini kvarts shishalarini qo'llab-quvvatlaydigan diskka vaqtincha rishtalarni vaqtincha rishtalash uchun OLDI WB belgisidan foydalaning. Ushbu tizim turli xil devorlar orasidagi qalinlikdagi o'zgarishlarni qoplay oladi, yaxshi boshlang'ich parallelizmni ta'minlaydi.
Tuzatish:Belgilangan substratni SJ yoki Asaj Serial Sacutal birikmalarini vakuumga o'rnating.
Silliqlash:Fangaratni aylantiring, shuning uchun vojikni qayta ishlash yuzasi HSM -}}}}} uskunasining silliqlash plitasiga pastga tushadi. Tizim 130 RPM gacha tezlikda ishlaydi, displey donalari nazorat ostidagi oqim tezligida olmos sirtini loyqalash vositasini etkazib beradi. Ushbu qadam qalinlikning o'zgaruvchanligini oldindan nazorat qilishda, materialning asosiy qismini tezda va bir xilda olib tashlashga qaratilgan.
4.2 O'rnatish, raqamlash va parlatish
O'tkazma:Tekshirilgandan so'ng, gofretni tozalang va uni shisha tashuvchi diskdan olib tashlang.
Tekshiruvni kuchaytirish:
A variant (baland {{{{{{- aniqroq afzallangan):Hegi HSM - CMP tizimidan foydalaning. Dofilni to'g'ridan-to'g'ri, ikkilamchi obligatsiyalar ehtiyojini bartaraf etish, suvni tejash yoki vakuum orqali to'g'ridan-to'g'ri o'rnatiladi. Ushbu tizim yuqori jarayonning boshqaruvini taklif etadi; Afsuski, quyi yoki quyish oqimi va skurriya oqimi kabi asosiy parametrlar real {{3} vaqtni moddiy olib tashlash stavkasini (MRR) va sirt sifatini optimallashtirish uchun to'g'ri yo'naltirilishi mumkin.
B (yuqori {{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{{}}:Valofni yuqori darajadagi pardali displeyka yuklang.
5. Natijalar
Silikid nitdiy substrati uchun germi sayasis tizimidan foydalanish, keyinchalik ingichka - plyonkalarni yotqizish yoki obligatsiya qilish jarayonlariga tayyor. Har bir sayqallangan har bir gul bir xil materiallarni olib tashlash va 极高的表面平整度 (juda yuqori sirt tekisligi) ga erishishga yordam beradi.
Jarayonning jarayon parametrlarini optimallashtirish orqali Hegi jarayoni silikon nitridi uchun optimal materialni olib tashlash stavkasiga (MRR) erishishi mumkin1.5 - 3 mkm / soat, samaradorlik va sirt sifati o'rtasidagi muvozanatni buzadi.
Quyidagi ma'lumotlar HSM-CMP tizimida ishlov berilgan o'n 2 -}-}} {}}} {}}} üdüne mitrid gitrid voforlaridan foydalanilgan natijalarga asoslanadi:
| Parametr | Silliqlashdan keyin (boshlang'ich) | Parlatishdan keyin (final) | Maqsadli spetsifikatsiya |
|---|---|---|---|
| Sirtli pürürmy (RA) | ~ 110 nm | < 1.5 nm | Ra <2 nm |
| Ttv | - | < ±1.5 μm | TTV <± 2 mkm |
| Mrr | - | 1.5 - 3 μm/h | - |
| Kamon | - | < 20 μm | <25 mkm |
| Yuqoridagi parametr natijalari faqat Hemie yarimo'tkazgichidan (Suzhou) laboratoriyasidan tegishli. |
Silikon Nitrid Wafers uchun odatiy natijalari
Diametri:2 dyuym (kattaroq kattaroq o'lchamlarda)
Moddiyni olib tashlash darajasi (MRR):1.5 - 3 mkm / soat
Yakuniy RAning qiymati:<1.5 nm
Yassi (TTV):<± 1,5 mkm
Ba'zla:<20 mkm
Yuqoridagi parametr natijalari faqat Hemie yarimo'tkazgichidan (Suzhou) laboratoriyasidan tegishli.
Xulosa:Hemaining sayohati echimini - kremniy nitdiy substratlari uchun ishlab chiqarish yo'lini ishlab chiqarishni va Nannron - - darajasi bo'yicha geometrik aniqlikka olib keladi. Ushbu eng bardoshli ravishda Silikon nitridni turli xil yuqori darajadagi dasturlar bo'yicha sanoatlashtirishni qo'llab-quvvatlaydi.
